按照全球最先进的三大晶圆厂台积电、三星、英特尔的计划，在2025年，大家的芯片技术要实现2纳米的水平，而到2027年时，可能会实现1.4nm。
而按照ASML的推测，未来，芯片技术还会持续前进，到2029年时是1nm，到2039年时会达到0.2nm。
而随着芯片技术的推进，各种相关设备的精度也会越来越高，因为2nm的芯片，要求一些制造设备的精度，也会达到2nm这个级别。
但是，夸张的来了，近日，在上海举办的Semicon大会上，中国芯片设备企业，实现了重大突破，其反应台之间的刻蚀精度已达到0.2A（亚埃级）。
这次他们通过不断提升反应台之间气体控制的精度，所以实现了ICP双反应台刻蚀机Primo Twin-Star®的0.2A精度。
并且这一刻蚀精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蚀工艺上，均得到了验证，并不是PPT，或者说是理论，而是有了实际测试的。
但由于尹志尧博士，在创办中微之前，一直在美国半导体企业工作，比如英特尔、泛林、应用材料等，有着丰富的经验积累，并且拥有众多的个人专利。
所以中微迅速的推出了刻蚀机，打破了美国在这一块的垄断，原来美国对刻蚀机是禁运的，后来中微研发出了先进的刻蚀机，美国就解除了禁令。
后来美国的应用材料发现中微这么厉害，还诬告中微侵犯了它们的专利，但后来应用材料输了官司，不得不承认中微的技术厉害。
不仅精度高，且按照尹志尧博士的说法，目前中微的刻蚀机已经实现100%的元件国产替代，不再需要进口，不用担心被谁卡脖子了，完全是自主可控的。
真希望国产半导体设备，都多向中微学习，如果都达到中微的精度和水平，那就完全不用担心所谓的禁令了，那真的就是废纸了。
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