H11L2(S)电源光耦6dawbo0，VDE-0884-11和后来的IEC60747-17将管理电容和磁耦合隔离器的性能、测试和认证要求。增强型隔离器的关键隔离要求包括10kVPK的电压浪涌耐受性和35年的连续寿命保证，在额定工作电压下缺陷水平小于1ppm。最新的电容和磁隔离器标准要求对每个设备进行完全加速的寿命测试、审核测试和100%高压生产测试相结合，以确保隔离质量。除了标准要求之外，由于涉及非常高的电压水平，每个生产批次的加速屏障应力测试可确保对增强的性能水平有更高的信心。
C-E饱和电压Vce即光敏三极管的集电极-发射极饱和压降。上升时间Tr与下降时间Tf其定义与典型测试方法如图2所示，它们反映了工作在开关状态的光耦，其开关速度情况。以上6个参数是在光耦电路中较为重要，但也是经常被设计者们所忽略的关键点。在接触光耦设计之前对这几个参数进行一定程度上的了解，能够最大程度的避免光耦电路设计错误情况的发生。与此同时，在光耦电路发生错误的时候也可先从这些参数入手，看看是否是关键参数出了问题。光耦的老化特性相当明显，在恒定电流下LED的量子效率（定义为总电子量与入射光子的比值）随着时间衰减，这是因为PN接面的电气和温度应力渐增的原因。这将影响光耦合器的长期稳定性和操作，特别是在高温操作环境更加明显。设计者可以藉由一些方法推迟老化
H11L2(S)电源光耦，本文介绍了光耦在开关稳压电源当中能够给出的两种信号，并对两种信号的产生过程进行了分布推导，从而帮助大家进一步理解信号的产生于光电耦合器的作用，在文章最后联系实际，推荐了两种不同的器件，并对两者进行了简单的比对。实例讲解如何得到精确的光耦匹配电阻值
●认证。几乎所有设计人员的系统都获得了UnderwritersLaboratories(UL)、VerbandderElektrotechnik(VDE)等机构的认证。这些认证要求电路板上的组件符合规定的标准。拥有分立解决方案不仅会增加需要认证的组件数量，而且如果任何经过认证的组件不可用，也可能会延迟流程。例如，可能很难找到具有正确认证的变压器，尤其是具有增强额定值的变压器。集成芯片简化了这一过程，因为隔离信号和电源解决方案被认证为一个单元。每款TI隔离器均通过UL、VDE、加拿大标准协会(CSA)和TÜVSÜD等机构的认证。大多数认证可在设备发布后的六个月内获得。你能把未使用的通道引脚放在数字隔离器上浮动吗？没有。数字隔离器的未使用通道的输入引脚可以为测试目的而保持浮动，但在应用中，留下未使用的引脚浮动可能会降低产品对噪音的抵抗力。当系统经过电磁兼容性(EMC)/抗扰度测试时，浮动销特别容易产生噪声。为了使系统免受这种噪声的影响，最好将信道输入与它们各自的默认逻辑状态相结合。
现场变送器电源注意事项虽然很明显为什么现场发射器的传感元件需要尽可能靠近源，但在传感技术的功耗允许的情况下，为什么两线发射器是首选选项可能并不那么明显。4至20mA发送器根据需要进行通信和表示的测量从接收器汲取电流最低测量读数低至8mA，最高测量读数最高5mA。两线制变送器最适合的原因是电流既充当系统的电源又充当信号总线；传感器位置不需要辅助电源，从而实现强大的信号完整性和使用更便宜且数量明显更少的电线显示了仅需极少数量无源元件的电路。ADP1071包含初级端、可提高转换效率的次级端有源整流，以及完全集成式反馈路径，可实现非常快速的反馈环路。通过采用该解决方案，输出电压调节非常准确，更重要的是非常快速，即使在负载瞬变很大时也不例外。可允许的工作温度高达125°C硅片温度。
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