IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载查看详情
流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
新能源是大势所趋，IGBT国产化也必须势在必行，IGBT是事关国家经济发展的基础性产品长期以来，我国在IGBT领域上常常面临卡脖现象，却又不得不面对依赖进口的尴尬局面，市场主要被英飞凌、三菱、富士
IGBT等产品订单充足 华润微2020年净利润预增超130%华润微发布业绩预告称,公司预计2020年年度实现归属于上市公司股东的净利润92,173．77万元到96,193．87万元,与上年同期相比将增加52,098．22万元到 56,118．32万元,同比增加130．00%到140．03%
功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等，是电子装置中电能转换与电路控制的核心。功率半导体器件种类众多，按集成度可分为功率IC、功率模块和功率分立器件三大类，其率分立器件中MOSFET、功率二极管、IGBT占比较大，是最主要的品类
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